Efficienza del pendio di GaN ZnO Heteroepitaxy dei cristalli del substrato ScAlMgO4 alta

L'a cristallo ScAlMgO4 (MgScAlO4SCAM) è un genere di sviluppato di recente heteroepitaxy di ZnO e di GaN con il materiale ideale del substrato, attualmente abbina il GaN e ZnO nei nuovi a cristallo del substrato materials.ScAlMgO4 è il più bene sistema esagonale, che ingraticciano la costante un = 0,3246 nanometri, c = 2,5195 nanometro, con la struttura stratificata del rhombohedron, simile ai nitruri del solfuro di zinco e la struttura dell'a cristallo dello zinco oxide.ScAlMgO4 è un genere di materiale ideale del substrato per l'epitassia di ZnO e di GaN, che è il disadattamento della grata di theminimum con GaN e ZnO.

Caratteristiche

• Partita della grata migliore con GaN e ZnO
• ALTO transmisson dopo la lucidatura
• Alta efficienza del pendio

Applicazioni

• Substrato ScAlMg2O4

Specificazione principale

Caratteristiche materiali

Fisico medica e chemicalcharacteristics